Оперативная память Samsung 4 гб DDR4 2666 мгц
600 руб.
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A5244CB0-CTDD0
Тип памяти DDR4
Форм-фактор SODIMM 260-контактный
Тактовая частота 2666 МГц
Пропускная способность 21300 МБ/с
Объем 1 модуль 4 ГБ
CAS Latency (CL) 19
RAS to CAS Delay (tRCD) 19
Row Precharge Delay (tRP) 19
Activate to Precharge Delay (tRAS) 32
Количество чипов каждого модуля 4, односторонняя упаковка
Напряжение питания 1.2 В
Количество ранков 1
Объвление найдено на сайте avito.ru. Перейдите по ссылке для покупки или просмотра более подробной информации