Уласюк, В.Н. Квантоскопы

Улaсюк, В.Н. Квантоcкопы Издательствo: М.: Pадио и cвязь Пеpeплeт: твердый; 260 cтpaниц; 1988 г. Фopмат: стандаpтный Язык: русcкий Аннoтaция Рассмотpен новый клacс пpoекциoнныx электpoннo-лучевых пpибopов на oснoве пoлупрoвoдниковых лазерoв с нaкачкoй электpoнным пучкoм --- квантoскoпы, пpeднaзначенные для отображения информации на большом экране. Изложены физические основы работы и принципы проектирования квантоскопов, их характеристики, области и условия применения. Для научных работников и специалистов, занятых разработкой оптоэлек-тронных устройств, средств отображения и обработки информации. Оглавление Предисловие Введение Глава 1. Введение в физику полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком 1.1. Излучательная рекомбинация полупроводников при возбуждении пучком быстрых электронов 1.2. Условия инверсии энергетических уровней 1.3. Пороговые условия генерации 1.4. Излучательные механизмы генерации 1.5. Мощность генерации 1.6. Спектральный состав и расходимость излучения 1.7. Неоднородность накачки и параметры квантоскопов Глава 2. Неоднородность возбуждения и порог генерации полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком 2.1. Взаимодействие быстрых электронов с полупроводником и продольная неоднородность возбуждения 2.2. Радиальная неоднородность возбуждения 2.3. Коэффициент конфигурационных потерь излучения лазера с продольной накачкой 2.4. Распределение интенсивности электромагнитного поля по сечению активной области и минимальный размер области генерации 2.5. Усиление паразитного спонтанного излучения в неоднородно возбужденной активной области лазера с продольной накачкой 2.6. Зависимость пороговой плотности тока от диаметра электронного пучка и энергии электронов Глава 3. Тепловой режим активного элемента и характеристики генерации полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком З.1. Общая постановка задачи охлаждения активных элементов квантоскопов 3.2. Средняя температура активного элемента при охлаждении хла-допровода жидким хладоагентом 3.3. Импульсный нагрев активной области сканирующим электронным пучком 3.4. Влияние времени коммутации на пороговую плотность тока сканирующего полупроводникового лазера с продольной накачкой электронным пучком 3.5. Мощность генерации и КПД сканирующего лазера с продольной накачкой электронным пучком 3.6. Смена механизмов генерации в течение времени коммутации и ее влияние на мощность генерации лазера с продольной накачкой Глава 4. Особенности конструкции и технологии квантоскопов 4.1. Конструкция квантоскопа и устройство электронно-лучевого источника накачки 4.2. Оптимизация электронной фокусирующей системы квантоскопа 4.3. Основные процессы технологии активных элементов 4.4. Монокристаллические материалы для активных элементов квантоскопов 4.5. Методики измерений и параметры активных элементов 4.6. Химико-механическое полирование активных элементов и эффективность их генерации 4.7. Зеркала активных элементов квантоскопов 4.8. Пространственная однородность излучения активных элементов Глава 5. Деградация активных элементов квантоскопов