Транзистор 2SD870
253 руб.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max Ucb max Uce max Ueb max Ic max Tj max, °C Ft max Cc tip Hfe
50W 1500V 600V 5V 5A 150°C 1MHz 95 8MIN
Производитель: TOSHIBA
— Для бренда: Toshiba
— Единиц в одном товаре: 1
— Модель: 2SD870
— Тип: Оригинал (Original)
Объвление найдено на сайте avito.ru. Перейдите по ссылке для покупки или просмотра более подробной информации